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何為先行片

更新時(shí)間:2020-05-14   點(diǎn)擊次數(shù):1934次

圓片在基區(qū)擴(kuò)散后,發(fā)射區(qū)擴(kuò)散前都要做先行片,由先行片的實(shí)驗(yàn)工藝條件來指導(dǎo)批量生產(chǎn),在測(cè)試前需要進(jìn)行特性光刻開特性孔,特性光刻后進(jìn)行前處理:在加熱到(75±5)℃的2號(hào)液中煮一段時(shí)間,然后再進(jìn)行H2處理,后利用四探針測(cè)試儀測(cè)試晶體管的特性。

H2處理的工藝溫度為500℃,進(jìn)行H2處理的目的是為了改善硅片表面的表面態(tài)密度,由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的懸掛鍵,即存在很多表面態(tài),通過H2處理可以將硅懸掛鍵和氫鍵結(jié)合從而減少界面態(tài),如果不進(jìn)行H2處理,特性測(cè)試不出來。

對(duì)于三極管(小功率和大功率)來說,主要是雙結(jié)測(cè)試,主要測(cè)試參數(shù)有BVCBO、BVCEO、BVEBO、HFE,如果HFE偏小,則需要追加擴(kuò)散,一般擴(kuò)散時(shí)間越長(zhǎng),HFE越大,當(dāng)然HFE均勻性也很重要,不能太離散。對(duì)于大功率晶體管還需要在基區(qū)擴(kuò)散后進(jìn)行單結(jié),主要測(cè)試BVCBO。